控硅中频电源的保护设置有多重保护系统,第一道有限压限流保护,第二道有过压过流保护,第三道有自动断路器(DW-16空气开关)作装置的短路电流保护。装置还分别设置有；冷却水欠压断水保护,快速熔断器保护,进相空芯电抗器保护,可控硅阻容吸收保护。

1三相桥式整流电路的短路保护

为了使在整流硅发生击穿时不使进相电压发生短路,一般在电路里每个整流桥臂都串联快速熔断器,以保护每个桥臂的可控硅。为限制相间短路时的电流上升率,不致超过可控硅元件本身的允许值,在交流进线处串有空芯电抗器。空芯电抗器的另一个作用是,使整流可控硅在换相过程中限制电流的上升率,对可控硅起到了一定的保护作用。

2 逆变端过流及过压保护

1)逆变端产生过电流的原因如下；

(1)运行中负载的波动引起过流。感应炉在熔炼过程中负载波动很大,尤其是在熔炼的初期参数变化的更为激烈,往往造成过电流。

(2)运行中桥式逆变器,两对桥臂可控硅换流失误,逆变失败,所引起的短路电流。

(3)运行中桥式逆变器可控硅触发脉冲突然中断,造成桥臂对角线可控硅斜通短路,所引起的短路电流。

还有其它各种原因引起的过电流,这种逆变侧的过电流采用快速熔断器保护将不是经济可靠的办法。

2)逆变端产生过电压的原因如下；

(1)(中频电压Uc=1.1Ud/cosɑ 。由于超前角ɑ过大在整流电压Ud恒定时,造成中频电压Uc过高。

(2)逆变触发脉冲的时刻是有Uc和-Ic信号的交点决定的,如果自电压互感器来的Uc信号突然中断。则此交点将由Ic信号决定,ɑ将迅速增大,从而造成中频电压Uc过高。

(3)炉子感应圈突然开路造成过电压。

(4)可控硅在导通与关断时产生的尖峰过电压。

3 对逆变端的过流及过电压均采用脉冲封锁方法来保护的。